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J-GLOBAL ID：200903021409056191

薄膜シリコン・オン・インシュレータ(SOI)プラットフォーム上に集積した多結晶ゲルマニウム・ベースの導波路検出器

Inventor： ゴートスカー, プラカシュ ,  ギロン, マーガレット ,  パテル, ヴィプルクマー ,  モンゴメリー, ロバート, キース ,  シャスリ, カルペンドゥ ,  パサク, ソハム ,  ヤヌシェフスキ, キャサリン, エー.
Applicant, Patent owner： シオプティカル インコーポレーテッド ,  ゴートスカー,プラカシュ ,  ギロン, マーガレット ,  パテル, ヴィプルクマー ,  モンゴメリー, ロバート, キース ,  シャスリ, カルペンドゥ ,  パサク, ソハム ,  ヤヌシェフスキ, キャサリン, エー.
Agent (8)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006501249
Publication number (International publication number)：2006522465
Application date： Mar. 30, 2004
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：

シリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造体に形成された比較的薄い(すなわちサブミクロンの)シリコン光導波路と共に使用される光検出器は、シリコン光導波路に沿って伝搬する光信号の少なくとも一部分と結合するように配設されたポリゲルマニウムの層を含む。この導波路構造体内に光信号をしっかりと閉じ込めることによって、ポリゲルマニウム検出器へ効果的にエバネセント結合することが可能となる。このシリコン光導波路は任意の所望の形状を取ることができ、ポリゲルマニウム検出器は導波路の一部分を被覆するか、または導波路の端部部分とバット・カップリングされるように形成される。導波路の一部分を被覆する場合、ポリゲルマニウム検出器は、検出器の両端にコンタクトが形成された状態で、光導波路の側面および上面を被覆する「巻き付け」形状を含み得る。

Claim (excerpt)：

シリコン・オン・インシュレータ(SOI)プラットフォームに基づいた光検出器構造体であって、該構造体は、 上部主表面を含むシリコン基板と、 前記シリコン基板の上部主表面を被覆するように配設され、上部主表面を含んだ埋め込み酸化物層と、 前記埋め込み酸化物の上部主表面の少なくとも一部分を被覆するように配設されたサブミクロンの厚さのシリコン光導波路層と、 前記シリコン光導波路層の一部分と接するように配設されたポリゲルマニウム検出器層と、 前記ポリゲルマニウム検出器層の両側の端子上に配設された1対の電気コンタクトとを備え、 前記ポリゲルマニウム検出器層は、前記サブミクロンの厚さのシリコン光導波路層に沿って伝搬する光信号を吸収し、かつ前記1対の電気コンタクトの間で電気的出力信号を生成するのに適したバンド・ギャップを呈する光検出器構造体。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/42 ,  G02B 6/122

FI (3)：

H01L31/10 A ,  G02B6/42 ,  G02B6/12 B

F-Term (32)：

2H137AB12 ,  2H137AC06 ,  2H137BA32 ,  2H137BA52 ,  2H137BB12 ,  2H137BB25 ,  2H137CA18B ,  2H137CA18F ,  2H137CA34 ,  2H137CA55 ,  2H137CA73 ,  2H147AB05 ,  2H147AC11 ,  2H147BA01 ,  2H147BA05 ,  2H147EA13C ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA18 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049QA01 ,  5F049QA08 ,  5F049QA20 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049SS06 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 仮出願第60/459348号
  

Cited by examiner (3)

• 赤外線検出素子及び赤外線検出素子を形成するプロセス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-289930   Applicant：エスティーマイクロエレクトロニクスソチエタレスポンサビリタリミテ
• SOI光導波路を利用したハイブリッド光集積回路用基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-297369   Applicant：韓國電子通信研究院
• 半導体光検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-249956   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Near-infrared waveguide photodetectors based on polycrystalline Ge on silicon-on-insulator substrat