赤外線検出素子及び赤外線検出素子を形成するプロセス

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999289930
Publication number (International publication number)：2000164841
Application date： Oct. 12, 1999
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】赤外線を電流に変換する半導体材料による効率の良い赤外線検出器の実現。【解決手段】赤外線検出素子1 は、希土類イオンでドープされた第1の半導体材料領域9 と、反対のドープ形Pの第2の半導体材料領域10とによって形成されるPN接合部9 、10を備えている。検出素子は、反射層4 を含む基板2 上に延び、保護及び格納酸化物領域11によって横方向の範囲を画定された突出構造物6 によって形成される導波路8 を備えている。導波路8 の少なくとも一部はPN接合部によって形成され、検出すべき光を供給される端部を有する。検出素子1 は導波路8 の横と上に配置された電極18、13を有し、光変換によって発生する電荷担体の効率的な収集を可能にする。

Claim (excerpt)：

希土類イオンでドープされた少なくとも第1の半導体材料領域(9)によって形成された接合部(9、10)を備える赤外線検出素子(1、30)であって、少なくともその一部に前記第1の半導体材料領域(9)を備える導波路(8、32)を備えることを特徴とする赤外線検出素子。

IPC (3)：

H01L 27/14 , G01J 1/02 , H01L 31/108

FI (3)：

H01L 27/14 K , G01J 1/02 B , H01L 31/10 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体光検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-249956 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-155872
特開平1-140679

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