GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 阿部豊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002197548
Publication number (International publication number)：2004035360
Application date： Jul. 05, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】エピタキシャル層表面の平坦化及び当該エピタキシャル層内の結晶欠陥の低減が可能なGaN単結晶基板、窒化物系化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るGaN単結晶基板11は、研磨された表面が、少なくともNH3ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度990°C以上1010°C以下で熱処理されて、表面に複数の孔13が形成されている。この基板11表面に化合物半導体層12を適当な成長条件でエピタキシャル成長させた場合、基板11から半導体層12への貫通転位の伝搬が抑制されつつ基板11表面の孔13が埋まって、当該基板表面が平坦化される。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

研磨された表面が、少なくともNH3ガスを含むガス雰囲気中、基板温度990°C以上1010°C以下で熱処理されて、前記表面に複数の孔が形成されたことを特徴とするGaN単結晶基板。

IPC (4)：

C30B29/38 , C30B25/18 , C30B33/02 , H01L21/205

FI (4)：

C30B29/38 D , C30B25/18 , C30B33/02 , H01L21/205

F-Term (20)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DA01 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077FE02 , 4G077FE11 , 4G077SC01 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC16 , 5F045AA04 , 5F045AB18 , 5F045AF04 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-052656 Applicant：住友電気工業株式会社

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