半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法と、基板熱処理方法及び化学気相堆積方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993322724
Publication number (International publication number)：1995130668
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】低温プロセスによって良好なトランジスタ特性を有する薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【構成】非晶質半導体膜堆積後、酸化性雰囲気下にて熱処理を施す。【効果】低温工程で良好なトランジスタ特性を有するTFTを、簡単な方法で大面積に均一に製造することが出来る。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が絶縁性物質で有る基板上に結晶性半導体膜を形成する方法に於いて、非晶質半導体膜を形成する第一の工程と、前記非晶質半導体膜が形成された基板を酸化性雰囲気下にて熱処理する第二の工程を含む事を特徴とする半導体膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-280435
特開平4-196312
多結晶シリコン薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-000551 Applicant：富士通株式会社

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