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J-GLOBAL ID：200903021583014210
放射線検出器
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山村 喜信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007098037
Publication number (International publication number)：2008258348
Application date： Apr. 04, 2007
Publication date： Oct. 23, 2008
Summary：
【課題】半導体の基板(I層)を厚くし得ると共に、高抵抗率の半導体を用いることができ、高エネルギーX線を検出でき、かつ、長い部分や広い面積についてX線検出が可能なSDDを提供する。【解決手段】I層11の第1の面にP層10が設けられ、I層11の第2の面に島状のN層12が設けられると共にN層12を中心として環状のPリング13が形成され、放射線の入射によりI層11で発生した電荷をP層10およびPリング13に印加した電圧により生じた電位勾配によってN層12に集める放射線検出器に関する。P層10に電圧印加用の第1電極端子21を設け、P層10の外周部分に対峙する位置に設けた1本のPリング13に電圧印加用の第2電極端子14を設けると共に、第2の面におけるPリング13とN層12との間には、電圧印加用の端子が設けられていない。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
I層の第1の面にP層が設けられ、I層の第2の面に島状のN層が設けられると共に前記N層を中心として環状のPリングが形成され、放射線の入射によりI層で発生した電荷を前記P層およびPリングに印加した電圧により生じた電位勾配によって前記N層に集める放射線検出器において、
前記P層に電圧印加用の第1電極端子を設け、
前記P層の外周部分に対峙する位置に設けた1本のPリングに電圧印加用の第2電極端子を設けると共に、前記第2の面における前記外周部分に対峙する位置に設けたPリングと前記N層との間には、電圧印加用の端子が設けられていないことを特徴とする放射線検出器。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (13)：
2G088EE29
, 2G088FF02
, 2G088FF03
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088JJ09
, 2G088JJ31
, 5F088AA03
, 5F088AB02
, 5F088BB06
, 5F088DA01
, 5F088FA09
, 5F088LA07
Cited by examiner (1)
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電荷収集能を高めた半導体放射線検出器
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平9-515106
Applicant：ディジラッド,インコーポレーテッド
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