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J-GLOBAL ID：200903021614501904

強誘電体薄膜およびその製造方法

Inventor： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997039802
Publication number (International publication number)：1998223476
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Si単結晶基板上に強誘電体薄膜、特にPbTiO3強誘電体薄膜を形成するに際し、膜内の応力を制御して自発分極値の低下を防ぐことを目的とする。【解決手段】 Si単結晶基板上に形成されたエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Si単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をZF面とし、ZF面間の距離をzFとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのZF面間の距離をzF0としたとき、0.980≦zF/zF0≦1.010である強誘電体薄膜。

Claim (excerpt)：

Si単結晶基板上に形成されたエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Si単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をZF面とし、ZF面間の距離をzFとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのZF面間の距離をzF0としたとき、0.980≦zF/zF0≦1.010である強誘電体薄膜。

IPC (11)：

H01G 7/06 ,  C30B 29/32 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/14 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02

FI (8)：

H01G 7/06 ,  C30B 29/32 D ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243232   Applicant：旭化成工業株式会社, 垂井康夫