半導体処理装置及び方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994131711
Publication number (International publication number)：1995335632
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】アッシング処理等で汚染を防止し,処理のスループットを向上する。【構成】 1)被処理基板の処理を行う反応室 1と, 該反応室 1を内蔵し且つ開口部を共有する保温室 4と, 該開口部を共有する冷却室10と, 該開口部を開閉する仕切り弁 8とを有する半導体処理装置,2)前記反応室 1に使用するガスの導入ユニット 5と前記冷却室10に使用する冷却ガスの導入ユニット15は,別系統で構成されそれぞれ前記保温室 4, 該冷却室10内に設けられている半導体処理装置,3)前記仕切弁 8の開口時の前記反応室 1内の圧力を前記冷却室10内の圧力より高くし,且つ該冷却室10内の圧力を外気より高くする半導体処理方法。

Claim (excerpt)：

被処理基板の処理を行う反応室(1) と, 該反応室(1) を内蔵し且つ開口部を共有する保温室(4)と, 該開口部を共有する冷却室(10)と, 該開口部を開閉する仕切り弁(8) とを有することを特徴とする半導体処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

熱処理方法及び被処理体の移載方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-057002 Applicant：東京エレクトロン東北株式会社, 株式会社安川電機
特開平4-014222

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