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J-GLOBAL ID：200903021626302788

固体撮像素子

Inventor：
横山 大輔

About 横山 大輔

, 
前原 佳紀

About 前原 佳紀


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006140570
Publication number (International publication number)：2007311647
Application date： May. 19, 2006
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：
【課題】有機光電変換層を一対の電極で挟んだ構成の光電変換素子を有する固体撮像素子において、低いバイアス電圧でも良好な撮像を行うことが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板上方に形成された下部電極と、前記下部電極上方に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された有機光電変換層を含む中間層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読み出し部とを備える固体撮像素子であって、 前記下部電極と前記上部電極間に0.1V以上3V以下のバイアス電圧を印加して撮像を行った場合に、前記有機光電変換層で吸収する光の波長域での外部量子効率が1%以上となる固体撮像素子。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
半導体基板上方に形成された下部電極と、前記下部電極上方に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された有機光電変換層を含む中間層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読み出し部とを備える固体撮像素子であって、 前記下部電極と前記上部電極間に0.1V以上3V以下のバイアス電圧を印加して撮像を行った場合に、前記有機光電変換層で吸収する光の波長域での外部量子効率が1%以上となる固体撮像素子。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (4)：
H01L27/14 E ,  H01L27/14 D ,  H01L31/10 A ,  H01L31/10 D
F-Term (31)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA07 ,  4M118BA08 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA32 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118EA01 ,  4M118GB02 ,  4M118GC08 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049QA07 ,  5F049RA08 ,  5F049SE04 ,  5F049SS03 ,  5F049TA03 ,  5F049TA06 ,  5F049TA08 ,  5F049UA14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 米国特許第5965875号明細書
  • 米国特許第6632701号明細書
  • 受光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-202885   Applicant：ソニー株式会社
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Cited by examiner (9)
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