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J-GLOBAL ID:200903021646785645

太陽電池の製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994221302
Publication number (International publication number):1996088382
Application date: Sep. 16, 1994
Publication date: Apr. 02, 1996
Summary:
【要約】【目的】 短絡電流密度、開放電圧、曲線因子特性の優れた太陽電池を低コストで大量生産できる製造法を提供する。【構成】 有機硫黄カドミウム錯体を熱分解してCdS膜を、有機硫黄カドミウム錯体と有機硫黄亜鉛錯体を熱分解してCd<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>S(0<x<1)膜を、有機硫黄テルライド錯体と有機硫黄亜鉛錯体を熱分解し、脱硫してZnTe膜を、有機硫黄カドミウム錯体と有機硫黄テルライド錯体を熱分解し、脱硫してCdTe膜を、有機硫黄カドミウム錯体と有機硫黄テルライド錯体を熱分解してCdS<SB>1-y</SB> Te<SB>y </SB>(0<y<1)混晶層を、または有機硫黄カドミウム錯体と有機硫黄テルライド錯体と有機硫黄銅錯体を熱分解し、脱硫して銅のドーピングされたCdTe膜を形成することにより太陽電池を作製する。
Claim (excerpt):
窓層としてCdS膜を備えた太陽電池の製造法において、有機硫黄カドミウム錯体を熱分解することによって該CdS膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造法。
IPC (3):
H01L 31/04 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
  • 特開平3-180488
  • 薄膜太陽電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-040323   Applicant:富士電機株式会社
  • 特開平4-074481
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