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J-GLOBAL ID：200903021733953295
窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997162717
Publication number (International publication number)：1999017275
Application date： Jun. 19, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】 面精度および平行度の良好な共振器ミラーを備えた窒化ガリウム系半導体レーザを提供する。【解決手段】 サファイア(0001)面基板101上に、MOVPE法によりバッファ層602、窒化ガリウムからなるコンタクト層603を形成した後、その表面に窒化珪素マスク102を形成する。マスク窒化珪素マスク102には、前記窒化ガリウムの[11-20]方向に長辺、[1-100]方向に短辺を有する長方形の開口部を設ける。この開口部に、MOVPE法を用いて窒化ガリウム系半導体層104を形成し、その側面の(11-20)面を共振器端面103とする。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板上に形成され窒化ガリウム系半導体層を含んでなる共振器とを有する半導体レーザにおいて、前記窒化ガリウム系半導体層が六方晶の結晶構造を有し、前記共振器の端面は前記窒化ガリウム系半導体層の(11-20)面であって前記基板に対して実質的に垂直に形成され、前記端面は数原子層オーダーの面精度を有することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
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半導体レーザ素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-041583
Applicant：株式会社日立製作所
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半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-194455
Applicant：株式会社日立製作所
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