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J-GLOBAL ID：200903021778487929

CVD装置のクリーニング方法

Inventor： 田桑 哲也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997195617
Publication number (International publication number)：1999043771
Application date： Jul. 22, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 処理回数に依存せず、安定した膜を形成しつつ、従来のプラズマによるクリーニング工程を省略して、生産性の優れた半導体装置の製造を可能とする。【解決手段】 化学気相成長法を用いて金属又は金属化合物膜を成膜する際に、該金属の供給源として使用する金属ハロゲンを含む混合ガス111で真空チャンバー内101をパージすることにより、チャンバー内部に付着した膜110を除去する。

Claim (excerpt)：

金属ハロゲンガスの真空チャンバー内での還元分解反応による金属又は金属化合物膜の成膜を行うCVD装置のクリーニング方法であって、該真空チャンバー内に付着した金属又は金属化合物膜を、前記金属ハロゲンガスと希釈ガスとの混合ガスをチャンバー内に導入して除去することを特徴とするCVD装置クリーニング方法。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/285

FI (2)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/285 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-180790   Applicant：東京エレクトロン株式会社