半導体装置の配線接続部及びその形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992229488
Publication number (International publication number)：1994061359
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】低い抵抗値を有し、耐熱性に優れ、安定したしかも高度のバリヤ性を有し、更には配線材料を完全に開口部内に埋め込み得る、半導体装置の配線接続部及びその形成方法を提供する。【構成】絶縁層と絶縁層の間に設けられたSi系配線層を他の配線部に電気的に接続する半導体装置の配線接続部は、(イ)絶縁層に形成され且つSi系配線層を貫通する開口部と、(ロ)この開口部に面したSi系配線層の部分に形成されたバリア層、から成る。このような配線接続部は、(イ)Si系配線層を貫通する開口部を絶縁層に形成する工程と、(ロ)開口部に露出したSi系配線層の部分にバリア層を形成する工程、から成る。

Claim (excerpt)：

絶縁層と絶縁層の間に設けられたSi系配線層を他の配線部に電気的に接続する半導体装置の配線接続部であって、(イ)絶縁層に形成され且つSi系配線層を貫通する開口部と、(ロ)該開口部に面したSi系配線層の部分に形成されたバリア層、から成ることを特徴とする半導体装置の配線接続部。

IPC (3)：

H01L 21/90 , H01L 27/092 , H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 311 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開昭63-015418
特開平2-271657
特開平4-188826

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