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J-GLOBAL ID:200903021820659700

酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高島 一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996320192
Publication number (International publication number):1997169075
Application date: Jan. 13, 1992
Publication date: Jun. 30, 1997
Summary:
【要約】【課題】 包装フィルムにおいて、耐レトルト性、耐屈曲性、ガスバリア性に優れた酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルムを提供することにある。【解決手段】 プラスチックフィルムの少なくとも片面に、電子ビーム蒸着法により酸化硅素系薄膜が形成されてなるガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重が1.80〜2.20であることを特徴とする酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルムである。このような構成のフィルムは、ガスバリア性に優れ、また耐レトルト性、耐ゲルボ性(耐屈曲性)が極めて良好であり、包装材料またはガス遮断材料として特に有用である。
Claim (excerpt):
プラスチックフィルムの少なくとも片面に、電子ビーム蒸着法により酸化硅素系薄膜が形成されてなるガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重が1.80〜2.20であることを特徴とする酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルム。
IPC (6):
B32B 9/00 ,  B32B 7/02 ,  B32B 27/00 ,  C08J 7/06 CFD ,  C23C 14/10 ,  C23C 14/20
FI (6):
B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 ,  B32B 27/00 H ,  C08J 7/06 CFD Z ,  C23C 14/10 ,  C23C 14/20 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
  • 特開平3-278946
  • 特公平7-098872
  • 特開平3-099842
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