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J-GLOBAL ID：200903021839067855

半導体装置

Inventor： 藤井 哲夫
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003430049
Publication number (International publication number)：2004311951
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】 可動部を有する半導体装置において、製造コストの増大を抑制しつつ、ノイズ等の外乱から保護することのできる半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明では、信号処理基板1及びセンサ基板2にSOI基板を用いるとともに、信号処理基板1における酸化膜1bにより第1のシリコン層1aと絶縁分離された第2のシリコン層1cに信号処理回路部を形成し、センサ基板2における酸化膜2bにより第1のシリコン層2aと絶縁分離された第2のシリコン層2cに可動部MVを形成したことを特徴としている。従って、信号処理回路及び可動部MVの電位に関らず、第1のシリコン層1a及び第1のシリコン層2aの電位を任意の値に設定することができるようになり、これら第1のシリコン層1a及び第1のシリコン層2aの電位をグランド電位にすることで、外部ノイズ等による可動部MVや信号処理回路部の誤動作を防ぐシールド層として利用することができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1の半導体層(2a)上に絶縁層(2b)を介して第2の半導体層(2c)を積層してなる積層体と、前記第2の半導体層(2c)に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部(MV)とを有し、該可動部の変位を電気信号に変換して出力するセンサ基板(2)と、 第1の半導体層(1a)上に絶縁層(1b)を介して第2の半導体層(1c)を積層してなる積層体を有し、前記センサ基板(2)の前記第2の半導体層(2c)に対向して配設され、前記センサ基板(2)との前記電気信号の授受を、前記可動部(MV)の周囲に配設されたバンプ(11)を通じて行う対向基板(1)と、を備えた半導体装置において、 前記センサ基板(2)における前記第1の半導体層(2a)及び前記対向基板(1)における前記第1の半導体層(1a)を、前記可動部(MV)を外乱から保護するシールド層として用いたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L29/84 ,  G01P15/125 ,  H01L23/00

FI (3)：

H01L29/84 Z ,  G01P15/125 Z ,  H01L23/00 C

F-Term (16)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA33 ,  4M112CA35 ,  4M112DA03 ,  4M112DA06 ,  4M112DA11 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-037506   Applicant：三菱電機株式会社