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J-GLOBAL ID：200903044892687490

半導体装置

Inventor： 大谷 浩
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000037506
Publication number (International publication number)：2001227902
Application date： Feb. 16, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 センサ基板の可動部を保護するキャップを省略して製造コストを低減した半導体装置を提供する。【解決手段】 信号処理基板1上にはセンサ基板2が搭載され、センサ基板2の端縁部から信号処理基板1の主面上にかけては封止樹脂3が配設されている。封止樹脂3はセンサ基板2の外周全域に渡って配設され、封止樹脂3、センサ基板2、信号処理基板1によって密閉空間SPを規定する構成となっている。センサ基板2は、その主面上にバンプ21を複数有し、バンプ21を、信号処理基板1の主面上に配設された電極に接合することで信号処理基板1との電気的接続を行う。

Claim (excerpt)：

第1の主面に可動部を備え、該可動部の変位を電気信号に変換して出力するセンサ基板と、前記センサ基板の前記第1の主面に対向して配設され、前記センサ基板との前記電気信号の授受を、前記可動部の周囲に配設されたバンプを通じて行う対向基板と、前記センサ基板と前記対向基板とで規定される間隙の少なくとも端縁部に配設された密封部材とを備え、前記センサ基板、前記対向基板および前記密封部材とで密閉空間が規定される半導体装置。

F-Term (10)：

2F063AA02 ,  2F063AA08 ,  2F063AA10 ,  2F063CA31 ,  2F063DA04 ,  2F063DC08 ,  2F063DD02 ,  2F063HA01 ,  2F063HA05 ,  2F063JA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体加速度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-239942   Applicant：松下電工株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-021348   Applicant：株式会社デンソー
• パッケージ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-016680   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平2-212789