基板処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉谷勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994173302
Publication number (International publication number)：1996017724
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】化学増幅レジストの反応時間を精度よくコントロールすることができる基板処理装置を提供する。【構成】複数枚の半導体ウエハ等の基板Wを保管する基板保管部1と、基板Wに所要の処理を施す基板処理部2と、基板処理部2と本装置に連設される露光装置との間で基板Wを受け渡しするインターフェイス機構部4とを備え、基板処理部2でレジストが塗布された基板Wを、露光後、インターフェイス機構部4上に設けられた熱処理装置50により加熱/冷却処理して化学増幅レジストの化学反応を完結させた後、基板Wを現像処理する。

Claim (excerpt)：

露光処理された基板を、加熱処理してレジストの反応を促進し、その後に基板を現像処理する基板処理装置において、基板にレジストを塗布するレジスト塗布手段と、露光後の基板を現像する現像手段とを備えた基板処理部と、前記基板処理部と装置外部との間で、基板を受け渡しするインターフェイス機構部と、前記インターフェイス機構部に設けられ、前記装置外部で露光された基板を加熱する加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を冷却する冷却手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 , H01L 21/68

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-323704 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
特開平4-084410
特開平3-154324

Show all

Return to Previous Page