Pat
J-GLOBAL ID:200903021935038173
シリコン膜の形成方法およびそのための組成物
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大島 正孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001375992
Publication number (International publication number):2003171556
Application date: Dec. 10, 2001
Publication date: Jun. 20, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法およびそのために用いられるシラン組成物を提供すること。【解決手段】 上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層を、(A)式SinRmで表されるポリシラン化合物、(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物、(C)シリコン粒子および場合により(D)ホウ素化合物、ヒ素化合物、リン化合物、アンチモン化合物および変性シラン化合物を含有するシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および/または光処理する工程を含む方法により形成する、太陽電池の製造方法。
Claim (excerpt):
(A)式SinRm(ここで、nは3以上の整数であり、mはn〜(2n+2)の整数でありそしてm個のRは互いに独立に水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲン原子である、但しm個のRの全てが水素原子であり且つm=2nであるとき、nは7以上の整数であるものとする。)で表されるポリシラン化合物、(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物 並びに(C)シリコン粒子を含有することを特徴とするシラン組成物。
IPC (4):
C08L 83/16
, C01B 33/02
, C09D183/16
, H01L 31/04
FI (5):
C08L 83/16
, C01B 33/02 E
, C09D183/16
, H01L 31/04 X
, H01L 31/04 V
F-Term (40):
4G072AA01
, 4G072BB09
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG02
, 4G072HH02
, 4G072HH28
, 4G072HH29
, 4G072MM01
, 4G072RR12
, 4G072RR30
, 4G072UU01
, 4G072UU02
, 4J002CP011
, 4J002DA067
, 4J002DA117
, 4J002EX006
, 4J002EX026
, 4J002EY016
, 4J002HA05
, 4J038DL032
, 4J038DL171
, 4J038DL172
, 4J038KA20
, 4J038PA17
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051BA12
, 5F051BA14
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA06
, 5F051CA20
, 5F051CB13
, 5F051CB24
, 5F051CB25
, 5F051FA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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シリコン膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-233617
Applicant:シャープ株式会社
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