欠陥検査方法およびその装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998037128
Publication number (International publication number)：1999237344
Application date： Feb. 19, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体ウエハ等のように、下に配線若しくは回路パターンを有する透明膜からなる平坦化膜において膜厚に変化が生じたとしても、平坦化膜に付着若しくは埋め込まれる異物等の微小な欠陥を誤検出することなく高信頼度で検査できるようにした欠陥検査方法およびその装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、下に配線若しくは回路パターンを有し、表面に光を透過する平坦化膜が形成された被検査対象に対して照明光学系により異なる複数の波長を有する照明光を照射し、検出光学系により前記被検査対象から得られる反射光学像からイメージセンサによって波長の異なる複数の画像信号を検出し、それぞれの画像信号について前記被検査対象上の所定の領域毎に明るさを正規化した画像信号を形成し、該複数の正規化された画像信号を同一座標系で一つの画像信号に合成し、この合成画像信号を参照合成画像信号と比較して不一致に基づいて前記平坦化膜に対する欠陥または欠陥候補を検査することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

下に配線若しくは回路パターンを有し、表面に光を透過する平坦化膜が形成された被検査対象に対して照明光学系により異なる複数の波長を有する照明光を照射し、検出光学系により前記被検査対象から得られる反射光学像からイメージセンサによって波長の異なる複数の画像信号を検出し、それぞれの画像信号について前記被検査対象上の所定の領域毎に明るさを正規化した画像信号を形成し、該複数の正規化された画像信号を同一座標系で一つの画像信号に合成し、この合成画像信号を参照合成画像信号と比較して不一致に基づいて前記平坦化膜に対する欠陥または欠陥候補を検査することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (3)：

G01N 21/88 , G03F 1/08 , H01L 21/66

FI (4)：

G01N 21/88 E , G03F 1/08 S , H01L 21/66 J , H01L 21/66 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-029712
半導体の外観検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平2-400409 Applicant：株式会社東芝
半導体基板の製造方法並びに被検査対象物上のパターンの欠陥検査方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-139198 Applicant：株式会社日立製作所

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