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J-GLOBAL ID：200903022037712204

半透明位相シフトマスクの製造方法

Inventor： 潮田 淳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994201652
Publication number (International publication number)：1996062822
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路等の製造を目的とするフォトリソグラフィ用半透明位相シフトマスクを高精度に製造する。【構成】 石英もしくは硝子などの透明基板10にSi薄膜40を形成し、その薄膜40を熱窒化(1200°C,数時間の加熱)または熱酸化(1700°C,数10分の加熱)あるいは酸素イオンドーピングにより薄膜40を改質することで、新たに透過率,屈折率を制御した薄膜30を作成する。その後、レジスト50をスピンコーティングし露光,現像によりレジストパターン51を形成する。そのレジストパターン51を遮蔽膜にし薄膜30をエッチングし、シフターパターン31を形成する。

Claim (excerpt)：

透明基板上にシフターを形成する半透明位相シフトマスク形成方法において、透明基板上のシフターに窒化または酸化あるいはシフターと異なる不純物のイオン注入,拡散による改質を施し、前記シフターの透過率および屈折率を制御し、前記シフターを改質した後に、前記シフターをパターニングすることを特徴とする半透明位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 露光マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-294540   Applicant：株式会社東芝
• 露光用マスク及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-089589   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-005655