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J-GLOBAL ID：200903022064104763

高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置

Inventor： 横川 直明 ,  青沼 大介 ,  渡部 嘉 ,  菅原 實
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社 ,  菅原 實
Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995191179
Publication number (International publication number)：1997022798
Application date： Jul. 03, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】 相当の広い圧力範囲に亘ってrfホロー放電の効果を充分得ることができるようにして、種々の異なる範囲の雰囲気圧力での任意の基板処理を可能にする。【構成】 rfホロー放電用電極34の表面には周状の溝よりなる凹部35が同心状に複数形成され、凹部35の側面はテーパー又は階段状に形成されて深くなるに従って断面積が小さくなっている。放電空間の雰囲気圧力が変化した場合、ホロー放電は凹部35の異なる深さの位置で持続される。必要に応じて、凹部35には補助電極部材36が配置されて凹部35に引き込まれるプラズマの量を調整し、放電空間の対向面方向のプラズマ密度を均一化させる。

Claim (excerpt)：

放電用ガスが存在する放電空間を挟むようにして他の電極と向かい合わせて配置される高周波放電用電極であって、当該高周波放電用電極又は当該他の電極の一方又は双方に高周波電力を印加して高周波放電を生じさせてプラズマを形成する高周波放電用電極において、当該高周波放電用電極の当該他の電極に対向する対向面には、ホロー放電を生じさせるための凹部が形成され、この凹部の側面は、深さが深くなるに従って断面積が小さくなるようテーパー状又は階段状に形成されており、この結果、放電空間の雰囲気圧力の大きさに従って当該凹部のある深さの位置でホロー放電が生じるよう構成されていることを特徴とする高周波放電用電極。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 M ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ウェハの容量結合放電処理装置および方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-214557   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭59-016979
  
• 特開平1-226147