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J-GLOBAL ID：200903022079168164
薄膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994081750
Publication number (International publication number)：1995297130
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：
【要約】【構成】 TiCl4 、H2 及びN2 を含むガスを原料とし、電子サイクロトロン共鳴(ECR)励起により発生させたプラズマを利用したCVD法によりTiNの薄膜を形成する薄膜の形成方法において、TiN薄膜を形成した後、TiN薄膜表面に、主にN2 ガス、又はN2 ガスと不活性ガスとからなるプラズマを照射する薄膜の形成方法。【効果】 TiN薄膜中に含まれる塩素分を揮散し易い物質に変換することができ、TiN薄膜中の塩素分を大きく減少させることができる。その結果、TiN薄膜中に残留した塩素分が、上層部のAlなどの配線を腐食する虞れがなくなり、LSI素子の信頼性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
TiCl4 、H2 及びN2 を含むガスを原料とし、電子サイクロトロン共鳴(ECR)励起により発生させたプラズマを利用したCVD法によりTiNの薄膜を形成する薄膜の形成方法において、TiN薄膜を形成した後、前記TiN薄膜表面に、主にN2 ガス、又はN2 ガスと不活性ガスとからなるプラズマを照射することを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/205
, H01L 21/285 301
, H01L 21/31
, H01L 21/318
, H05H 1/46
Cited by applicant (1)
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バリアメタル層の形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-011870
Applicant：日本電気株式会社
Cited by examiner (1)
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バリアメタル層の形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-011870
Applicant：日本電気株式会社
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