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J-GLOBAL ID:200903022111247241

多結晶シリコンの製造方法とその装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001259479
Publication number (International publication number):2002220219
Application date: Aug. 29, 2001
Publication date: Aug. 09, 2002
Summary:
【要約】【課題】 多結晶シリコンの製造の際、反応ガス供給手段の出口表面にシリコンが析出・堆積するのを防止する。【解決手段】 本発明は、流動層反応器を用いて反応ガスを供給しながらシリコン粒子を流動させて粒子形態の多結晶シリコンを量産するにおいて、塩化水素を含むエッチングガスを反応ガス供給手段の表面に注入することによってシリコンが析出されて堆積されるのを有効に防ぎ、反応器を連続的に運転することを可能とする多結晶シリコンの製造方法及び装置を提供する。
Claim (excerpt):
流動層反応器で反応ガスを供給しながらシリコン粒子を流動させて多結晶シリコンを製造する方法において、流動層反応器の反応ガス供給手段の表面に塩化水素を含有するエッチングガスを注入することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
F-Term (11):
4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072NN01 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01 ,  4G072UU03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 粒状ポリシリコンの製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-314860   Applicant:株式会社トクヤマ
  • 特開平2-279513
  • 特開昭57-135708
Cited by examiner (2)

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