Pat

J-GLOBAL ID：200903022126005457

位相シフトマスクの製造方法

Inventor： 戸野谷 純一 ,  本川 剛治 ,  村野 宏治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999343544
Publication number (International publication number)：2001027799
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 モリブデン-シリコンの酸窒化物のような位相シフトマスク材料からなる被膜のエッチング終了後における下地である石英基板表面のエッチングを低減して表面荒れや凹凸の発生を抑制した位相シフトマスクの製造方法を提供するものである。【解決手段】 石英基板上にモリブデン-シリコンの酸化物、モリブデン-シリコンの窒化物、モリブデン-シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

石英基板上にモリブデン-シリコンの酸化物、モリブデン-シリコンの窒化物、モリブデン-シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

F-Term (2)：

2H095BB03 ,  2H095BB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-181539   Applicant：ホーヤ株式会社
• 特開昭59-162276
  
• 特開昭59-162276