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J-GLOBAL ID：200903084602713118
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997181539
Publication number (International publication number)：1998069064
Application date： May. 30, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 モリブデンシリサイドなど金属シリサイド系のハーフトーン位相シフトマスクの製作において、CDと位相差を独立に制御でき、CDと位相差が共に満足した値の高精度なマスクを得ることができるハーフトーン位相シフトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】 レジストパターン33aをマスクとするドライエッチングでMoSiN膜パターン32aを形成した後、位相差とCDを測定し、位相差は満足できるが、CDは設計値に近づける必要があるときは、位相差はそのままでCDのみ調整されるようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追加する。
Claim (excerpt)：
透明基板上に所定の位相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、この半透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッチングして半透光膜パターンを形成する工程と、前記工程の結果得られた位相差または線幅が許容範囲を越えたときに、その越えた要件のみが調整されて許容範囲内となるようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追加する工程とを具備することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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