光起電力素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997242705
Publication number (International publication number)：1998144944
Application date： Sep. 08, 1997
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、光閉じ込め効果により、光電変換効率を向上させつつ、製造工程における歩留まり、および耐候性、耐久性等の信頼性を向上させた光起電力素子を提供することにある。【解決手段】基板101と半導体層103乃至105との間に位置する透明導電層102の、半導体層と接する面の断面形状が、少なくとも40nmから400nmの範囲でフラクタル次元Dが1.01≦D≦1.20の範囲であるフラクタル形状を有することを特徴とする光起電力素子。

Claim (excerpt)：

基板と半導体層との間に位置する透明導電層の、半導体層と接する面の断面形状が、少なくとも40nmから400nmの範囲でフラクタル次元Dが1.01≦D≦1.20の範囲であるフラクタル形状を有することを特徴とする光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

太陽電池の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-343017 Applicant：キヤノン株式会社
光起電力素子及び発電システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-332063 Applicant：キヤノン株式会社
光起電力素子及び発電システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-349638 Applicant：キヤノン株式会社

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