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J-GLOBAL ID：200903022197075650

スパッタリング装置

Inventor： 瀬戸山 英嗣 ,  亀井 光浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993322467
Publication number (International publication number)：1995173628
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 磁気異方性に優れた均一な磁気特性の磁性膜を形成し、また、磁気特性に優れた磁性膜を効率良く形成することができる量産性に優れたスパッタリング装置を得る。【構成】 真空容器1内の冷却室18にヘルムホルツコイル39a,39bを設け、該冷却室18の被成膜基板4に成膜室17における印加磁場と同一方向の一方向性均一磁場を印加する。被成膜基板4は成膜室17における印加磁場と同一方向の一方向性均一磁場中で冷却されるので磁気特性が安定する。

Claim (excerpt)：

成膜材料から成るターゲット板を保持し且つ成膜時には陰極となるカソード電極と、ターゲット板に対向位置するように被成膜母材である被成膜基板を保持して移動可能な基板ホルダと、これらを収納する少なくとも1つ以上の成膜室と、前記成膜室内を真空排気する排気装置と、前記カソード電極と被成膜基板間の空間にスパッタ放電を生ぜしめるためのガスを成膜室内に導入するガス導入口と、前記成膜室における被成膜基板の成膜部分に均一な一方向性磁場を印加する成膜磁場形成装置と、成膜前または成膜中に被成膜基板を加熱する加熱領域及び成膜後の被成膜基板を冷却する冷却領域と、該加熱領域及び冷却領域内を真空排気する排気装置と、前記加熱領域,成膜室及び冷却領域に前記基板ホルダを運搬する搬送装置とを備えたスパッタリング装置において、前記冷却領域の被成膜基板に前記成膜室における印加磁場と同一方向の一方向性均一磁場を印加する冷却磁場形成装置を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁性膜形成装置およびインライン成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-290516   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭57-078123