半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992265574
Publication number (International publication number)：1994097505
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】良好なオーム性接触を有する短波長帯の半導体発光素子を提供する。【構成】p型で禁制帯幅が2.5eV以上の第1の半導体を含む層構造が半導体基板上に形成された半導体発光素子において、該第1の半導体と金属電極との間に、p型で禁制帯幅の異なる少なくとも2種類の半導体よりなる多層超薄膜が形成され、該2種類の半導体の内第2の半導体は第3の半導体に比べて電子親和力および禁制帯幅が共に大きくかつ該多層超薄膜内のポテンシャル井戸における正孔に対する最低エネルギー準位は該金属電極より遠ざかるにつれて高くなるとともに、該多層超薄膜の平均的格子定数は第1の半導体の格子定数にほぼ等しくなるように該多層超薄膜各層の厚さが設定され、さらに第2の半導体による層は正孔がトンネル効果により伝導可能な厚さを有することを特徴とする構成を有している。

Claim (excerpt)：

p型で禁制帯幅2.5eV以上の第1の半導体を含む層構造が半導体基板上に形成された半導体発光素子において、該第1の半導体と金属電極との間に、p型で禁制帯幅の異なる少なくとも2種類の半導体よりなる多層超薄膜が形成され、該2種類の半導体の内第2の半導体は第3の半導体に比べて電子親和力および禁制帯幅が共に大きくかつ該多層超薄膜内のポテンシャル井戸における正孔に対する最低エネルギー準位は該金属電極より遠ざかるにつれて高くなるとともに、該多層超薄膜の平均的格子定数は第1の半導体の格子定数にほぼ等しくなるように該多層超薄膜各層の厚さが設定され、さらに第2の半導体による層は正孔がトンネル効果により伝導可能な厚さを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-240084
特願平2-289499
Application number：特願平2-289499
特開平3-091270

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