高誘電率誘電体膜、MOS型電界効果トランジスタ、及び半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉村俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003417636
Publication number (International publication number)：2005183422
Application date： Dec. 16, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】金属元素の外方拡散を抑制し易い高誘電率誘電体膜を提供する。【解決手段】少なくとも酸素原子とハフニウム原子とを構成元素とするハフニウム化合物に、ハフニウムよりも高い価数を有する金属元素をドーピングすることによって、解決した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも酸素原子とハフニウム原子とを構成元素とするハフニウム化合物に、ハフニウムよりも高い価数を有する金属元素がドーピングされた誘電体からなることを特徴とする高誘電率誘電体膜。

IPC (5)：

H01L21/316 , C01G27/02 , C23C14/08 , H01B3/12 , H01L29/78

FI (5)：

H01L21/316 B , C01G27/02 , C23C14/08 J , H01B3/12 309 , H01L29/78 301G

F-Term (67)：

4G048AA03 , 4G048AB04 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4K029AA06 , 4K029BA35 , 4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BB08 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF06 , 5F058BF12 , 5F058BH01 , 5F058BH15 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140AC38 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG27 , 5F140BG44 , 5F140BJ01 , 5F140BJ23 , 5F140BK20 , 5F140BK25 , 5F140CB01 , 5G303AA10 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB10 , 5G303CB21 , 5G303CB30 , 5G303CB33 , 5G303CB36 , 5G303CB37 , 5G303CB40 , 5G303CB43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-142471 Applicant：シャープ株式会社

Return to Previous Page