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J-GLOBAL ID：200903021851310595

ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法

Inventor： ヤンジュン マー ,  ヨシ オノ
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001142471
Publication number (International publication number)：2002033320
Application date： May. 11, 2001
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 さらなる元素を既存のhigh-k誘電体材料に加えることによって、電子親和力を含むhigh-k誘電体材料の電気的特性を制御した、high-k誘電体材料を提供すること。【解決手段】 二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、a)ドーピング金属と、b)ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と、c)酸素とを含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。

Claim (excerpt)：

二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、a)ドーピング金属と、b)ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と、c)酸素と、を含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。

IPC (12)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (10)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 Y ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/58 A ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 444 A

F-Term (65)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC16 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  4K030AA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F048AC03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BF24 ,  5F058BF32 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F083FR05 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F101BA62 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH16 ,  5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-215186   Applicant：シャープ株式会社
• ゲート絶縁膜とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-184967   Applicant：日本電気株式会社
• 薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-287331   Applicant：三星電子株式会社
• 安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-076318   Applicant：日産自動車株式会社

Cited by examiner (4)

• 安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-076318   Applicant：日産自動車株式会社
• 薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-287331   Applicant：三星電子株式会社
• ゲート絶縁膜とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-184967   Applicant：日本電気株式会社
• アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-215186   Applicant：シャープ株式会社