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J-GLOBAL ID:200903022294384706

フォトマスク修正方法及びフォトマスク修正装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999160277
Publication number (International publication number):2000347387
Application date: Jun. 07, 1999
Publication date: Dec. 15, 2000
Summary:
【要約】【課題】 LSI及び液晶等のパターンニングに使用するフォトマスクの黒欠陥をレーザ光線により、フォトマスク上に金属の残渣を残すことなく金属薄膜だけを除去し、フォトマスクを形成する基板の透過率を高くすることができるフォトマスク修正方法及びフォトマスク修正装置を提供する。【解決手段】 レーザ光5のパルス幅が100ピコ秒以下で、繰り返しパルスエネルギを出力させることができるレーザ光源4から、転写用の長方形の可変スリット8を透過させ照射幅を狭くしたレーザ光5をフォトマスク10上に転写し、レーザ光5を照射しながら、フォトマスク10面内で転写像を可変スリット8の位置又はフォトマスク10を設置したXYZステージ11を移動することによってフォトマスク10の黒欠陥部を除去する。
Claim (excerpt):
フォトマスクの黒欠陥部にレーザ光を照射することにより前記黒欠陥部を除去するフォトマスク修正方法において、長方形の可変スリットを透過させた前記レーザ光を前記フォトマスク上に転写し、前記転写した転写像を前記フォトマスク面内で移動させながら前記レーザ光を照射することを特徴とするフォトマスク修正方法。
IPC (3):
G03F 1/08 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 1/08 V ,  B23K 26/00 G ,  H01L 21/30 502 W
F-Term (9):
2H095BD32 ,  2H095BD34 ,  4E068CA03 ,  4E068CB05 ,  4E068CD10 ,  4E068CE02 ,  4E068CE04 ,  4E068CK01 ,  4E068DA00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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