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J-GLOBAL ID：200903022323117593

マスク製造のための近接効果補正方法

Inventor： ▲呉▼ 宏仁 ,  施 錫龍
Applicant, Patent owner： 聯華電子股▲ふん▼有限公司
Agent (1)： 秋元 輝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998077796
Publication number (International publication number)：1999202470
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】電子線露光技術用のマスク製造のために、電子ビーム近接効果補正方法と光近接効果補正方法とを統合した近接効果補正方法を提供する。【解決手段】 マスク上にパターンを形成するコンピュータエイデッド設計データ集を用意し、準備された所望パターンに応じて、マスク領域を複数の第1及び第2の領域区域に区分する。第1の領域区域にはパターンの部分が含まれるが、第2の領域区域にはパターンは全く含まれていない。パターン密度と光コントラストは共に0%(光を完全吸収)から100%(光を全反射)まで変わる。パターン密度は電子ビーム近接効果に関係し、光コントラストは近接効果に関係するので、これら両者により電子ビーム露光量を調節して、電子ビーム及び光の各近接効果が補正されたパターンが得られる。この補正パターンを用いて適正な電子ビーム露光によりマスクを形成する。

Claim (excerpt)：

以下の工程からなるフォトマスク製造における近接効果補正方法:フォトマスク上に形成するパターンを準備する工程;前記マスクを複数の領域区域に分ける工程;この工程においては、各領域区域におけるパターン密度と光コントラストデータから、電子ビーム近接効果及び光近接効果を補正するための電子ビームの必要な光照度を計算し、これによって、補正されたパターンを形成すること;及び前記補正されたパターンを用いて、電子ビーム露光操作を行い、フォトマスクを製造する工程。

IPC (4)：

G03F 1/08 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (4)：

G03F 1/08 B ,  H01J 37/305 B ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 502 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 描画データ作成方法、及び描画データ作成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-229413   Applicant：株式会社日立製作所, 日立コンピュータエンジニアリング株式会社