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J-GLOBAL ID：200903022329183806
プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995165624
Publication number (International publication number)：1996078193
Application date： Jun. 30, 1995
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】発生したプラズマに対して十分な耐蝕性を備え、プラズマシースを安定に生成させ、エッチング、CVD、PVD等の各処理を、サセプターの全面にわたって安定に実施できるようなプラズマ発生電極装置を提供する。【構成】緻密質セラミックスからなる基体1と、基体1中に埋設された電極9とを備えており、電極9と基体1のプラズマ発生側の表面1aとの間に存在する電磁波透過層4の厚さの最小値が0.1mm以上である。好ましくは、電磁波透過層4の厚さの平均値が0.5mm以上であり、電磁波透過層4の厚さの平均値が5.0mm以下であり、電極9が金属バルク体からなる面状の電極であり、電極を包囲する基体1が、接合面のない一体焼結品である。
Claim (excerpt)：
緻密質セラミックスからなる基体と、この基体中に埋設された電極とを備えているプラズマ発生電極装置であって、この電極と前記基体のプラズマ発生側の表面との間に存在する電磁波透過層の厚さの最小値が0.1mm以上であることを特徴とする、プラズマ発生電極装置。
IPC (4)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
