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J-GLOBAL ID：200903023421803957
薄膜形成装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993073282
Publication number (International publication number)：1994291049
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【構成】半導体ウェハなどの基板表面上に、加熱状態下にて薄膜を形成させる装置であって、上記基板の加熱手段を窒化アルミニウム質セラミックスにより構成する。【効果】熱伝導性が高く、機械的強度に優れ、かつ電気絶縁性や耐熱性を持つ加熱手段を有する薄膜形成装置を提供することが可能となる。また、高純度窒化アルミニウム質セラミックスよりなる加熱手段とすることにより、基板を汚染しない薄膜形成装置を提供することが可能となる。
Claim (excerpt)：
半導体ウェハなどの基板表面上に、加熱状態下にて薄膜を形成させる装置であって、上記基板の加熱手段が窒化アルミニウム質セラミックスからなることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C30B 25/12
, H01L 21/68
Cited by examiner (6)
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