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J-GLOBAL ID：200903022352487731
単層壁カーボン・ナノチューブの制御された成長
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
遠藤 淳二
, 小西 富雅
, 中村 知公
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003553048
Publication number (International publication number)：2005512930
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： May. 12, 2005
Summary：
構造秩序性が高く、ポア直径分布が狭い(±0.15nmFWHM)、遷移金属で置換された非晶質中多孔質シリカフレームワークを合成し、単層壁カーボン・ナノチューブ(SWNT)のテンプレート上の成長のために用いた。本SWNTの物理特性(直径、直径分布、電子特性)は、テンプレートのポア・サイズ及びポア壁面の化学的性質により、コントロールすることができる。本SWNTは、化学センサや、トランジスタ及びクロスバー・スイッチなどのナノスケール電子装置などに用途を見出すことができる。
Claim (excerpt)：
単層壁カーボン・ナノチューブを作製する方法であって、
中多孔質の含シリカ構造から成るフレームワークを提供するステップであって、前記フレームワークが、所定の均一なポア・サイズを有すると共に、前記フレームワークの置換部位に選択的に分散させられた金属イオンを含有し、前記分散した金属イオンが、触媒部位の唯一の源を形成している、ステップと、
炭素含有反応体を前記フレームワーク上に所定の温度で流し込むステップと、
を含み、
所定のポア・サイズと相関する直径を持つ単層壁カーボン・ナノチューブを作製する、方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C01B31/02 101F
, H01L29/66 S
4G146AA12
, 4G146AC16B
, 4G146AD28
, 4G146BA08
, 4G146BA12
, 4G146BB23
, 4G146BC03
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC33B
, 4G146BC47
, 4G146DA02
, 4G146DA03
Cited by examiner (2)
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単層カーボンナノチューブの製造方法およびゼオライトの除去方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-394105
Applicant：株式会社豊田中央研究所, 名古屋大学長
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カーボンナノチューブの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-117353
Applicant：財団法人石油産業活性化センター, 出光興産株式会社
Article cited by the Patent：
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