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J-GLOBAL ID：200903022423651627

磁気検出素子

Inventor：
斎藤 正路

About 斎藤 正路


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002114296
Publication number (International publication number)：2003309305
Application date： Apr. 17, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 CPP型磁気検出素子において、特に、フリー磁性層の膜構成を改良することで、再生感度ηの向上と、再生出力の向上とを同時に達成することが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。【解決手段】 フリー磁性層26を積層フェリ構造とし、これにより前記フリー磁性層26の物理的な膜厚は厚くなり抵抗変化量ΔR×面積Aを向上させることができ再生出力を向上させることができると共に、積層フェリ構造とすることで磁気的な膜厚は小さくなるから前記フリー磁性層26からの反磁界は小さくなり第2反強磁性層33から前記第1フリー磁性層30へ適度な大きさのバイアスを安定してかけ続けることができ、再生感度ηの良好な磁気検出素子を製造することが可能である。
Claim (excerpt)：
第1反強磁性層と、この第1反強磁性層と接して形成される固定磁性層と、前記固定磁性層の前記第1反強磁性層と接する面の反対側に、第1非磁性材料層を介して形成されたフリー磁性層とを有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記フリー磁性層は、第1非磁性材料層側に位置する第2フリー磁性層と、前記第2フリー磁性層に非磁性中間層を介して形成された第1フリー磁性層とを有する積層フェリ構造であり、前記第1フリー磁性層の前記非磁性中間層と接する面と反対側に、第2非磁性材料層を介して第2反強磁性層が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32
FI (4)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32
F-Term (11)：
5D034BA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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