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J-GLOBAL ID：200903022438736394

ホウ素の外部拡散を防ぎ応力を減少させるためのN▲下2▼O窒化酸化物トレンチ側壁

Inventor： アルガバアニ,リザ ,  チャウ,ロバート・エス ,  ヤング,サイモン ,  グラハム・ジョン
Applicant, Patent owner： インテル・コーポレーション
Agent (1)： 山川 政樹 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998530091
Publication number (International publication number)：2001507864
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】半導体基板内に分離構造を形成する方法について説明する。最初に、半導体基板にトレンチをエッチングする。次に、トレンチに、第1の酸化物層を形成する。第1の酸化物層を、窒素酸化物ガス雰囲気にさらし、アニールして、第1の酸化物層の上にオキシ窒化物面を形成し、第1の酸化物層と半導体基板の間にシリコン・オキシ窒化物界面を形成する。次に、第1の酸化物層のオキシ窒化物面の上に、第2の酸化物層を堆積させる。本発明の方法と分離構造は、ドーパントの外部拡散を防ぎ、トレンチの応力を減少させ、薄いゲート酸化物のより均一な成長を可能にし、より薄いゲート酸化物の使用を可能にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に分離構造を形成する方法であって、a)前記半導体基板にトレンチをエッチングする段階と、b)前記トレンチ内の第1の酸化物層を形成する段階と、c)前記第1の酸化物層を酸化窒素(N2O)基体雰囲気にさらして、前記第1の酸化物層上にオキシ窒化物面を形成し、前記第1の酸化物層と前記半導体基板との間にシリコン・オキシ窒化物界面を形成する段階と、d)前記第1の酸化物層の前記オキシ窒化物面上に、第2の酸化物層を堆積させる段階とを含む方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• トレンチ素子分離構造およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-124576   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-129768   Applicant：日本電気株式会社