火炎センサ及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村修一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999088265
Publication number (International publication number)：2000286441
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】暗電流との関係において、微弱な火炎光に対応する信号が、暗電流に埋もれたり、S/Nの低い信号しか得られないことが少なく、高温状況下において微弱な火炎の発光を良好に検出できる火炎センサを得る。【解決手段】第1導電型の半導体層5と、その半導体層とは導電型の異なる第2導電型の半導体層6とが厚さ方向に並べて積層されて構成され、光に対する感度を有する受光部PRを備え、前記第1導電型の半導体層5と前記第2導電型の半導体層6とに亙って通電されるように一対の電極7a、7bが形成されて成る火炎センサを構成するに、前記第1導電型の半導体層5及び前記第2導電型の半導体層6を、不純物を含むIny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から形成し、前記受光部PRの欠陥密度を、107 /cm2 以下とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体層と、その半導体層とは導電型の異なる第2導電型の半導体層とが厚さ方向に並べて積層されて構成され、光に対する感度を有する受光部を備え、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層とに亙って通電されるように一対の電極が形成されて成る火炎センサであって、前記第1導電型の半導体層及び前記第2導電型の半導体層が、不純物を含むIny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から形成され、前記受光部の欠陥密度が、107 /cm2 以下である火炎センサ。

IPC (2)：

H01L 31/10 , G01J 1/02

FI (2)：

H01L 31/10 A , G01J 1/02 B

F-Term (20)：

2G065AA15 , 2G065AB05 , 2G065AB19 , 2G065BA02 , 2G065BA09 , 2G065BA32 , 2G065CA05 , 2G065CA12 , 2G065DA06 , 2G065DA20 , 5F049MA02 , 5F049MB07 , 5F049NA04 , 5F049NB10 , 5F049PA04 , 5F049PA18 , 5F049PA20 , 5F049SS01 , 5F049SS03 , 5F049WA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-050859 Applicant：日亜化学工業株式会社
火炎センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-034603 Applicant：大阪瓦斯株式会社
特開平3-133182

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