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J-GLOBAL ID：200903053148434176

窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： 杉本 康宜 ,  清久 裕之 ,  小崎 徳也 ,  岩佐 成人 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998050859
Publication number (International publication number)：1999004048
Application date： Mar. 03, 1998
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子と、その窒化物半導体素子の新規な製造方法を提供し、特に窒化物半導体基板を有してなるレーザ素子とレーザ素子の共振面を形成する方法を提供する。【構成】 窒化物半導体層と異なる材料よりなる異種基板上部に、窒化物半導体を成長させて、窒化物半導体基板を作製し、さらに窒化物半導体基板上部に活性層を含む素子構造となる窒化物半導体層を積層して、異種基板上部に成長された窒化物半導体基板より、異種基板を除去した後、窒化物半導体基板のM面(11-00)で劈開することにより、窒化物半導体素子の対向する活性層端面が窒化物半導体基板M面の劈開面と一致した面を得る。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体を基板とし、その基板上部に活性層を含む素子構造を有する窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体素子であって、その窒化物半導体素子の対向する活性層端面は、前記窒化物半導体基板M面(11-00)の劈開面と一致していることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/301 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 U ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-295433   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平3-133182