トランジスタおよびそれを用いた表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥田誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002369218
Publication number (International publication number)：2003298067
Application date： Dec. 20, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】導電性高分子を用いたトランジスタの特性および/または信頼性を改善すること、およびそのようなトランジスタを用いた表示装置を提供する。【解決手段】第1電極3と、第2電極4と、第1電極と第2電極との間に設けられた半導体層6と、半導体層に電界を印加するための第3電極2とを備え、半導体層は、導電性を有するゲスト高分子がホスト分子に包接された高分子包接錯体を含む。

Claim (excerpt)：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機層と、前記有機層に電界を印加するための第3電極とを備え、前記有機層は高分子包接錯体を含む、トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 51/00

FI (3)：

G02F 1/1368 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28

F-Term (48)：

2H092HA04 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB56 , 2H092KA09 , 2H092KA10 , 2H092KA11 , 2H092KA18 , 2H092KB25 , 2H092MA01 , 2H092MA02 , 2H092MA10 , 2H092NA25 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭63-76378号公報
特開平4-133351号公報
電界効果トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-264313 Applicant：三菱電機株式会社

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