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J-GLOBAL ID：200903022602294853
炭化珪素単結晶の製造方法及びそれによって得られた炭化珪素単結晶
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999140680
Publication number (International publication number)：2000044398
Application date： May. 20, 1999
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 新たな成長層にてマイクロパイプ欠陥を閉塞させるのではなく、炭化珪素単結晶基板に存在しているマイクロパイプ欠陥を閉塞させることができるようにする。【解決手段】 基板結晶(炭化珪素単結晶)1の表面において開口するマイクロパイプ欠陥の少なくとも一方を被覆材料5で被覆する。そして、熱処理を施し、マイクロパイプ欠陥中が炭化珪素蒸気種で飽和状態になるようにする。これにより、基板結晶上に新たに成長する成長層においてではなく、基板結晶1中に存在するマイクロパイプ欠陥6を基板結晶1の内部で閉塞させることができる。
Claim (excerpt)：
マイクロパイプ欠陥を有する炭化珪素単結晶(1)を用意する工程と、前記炭化珪素単結晶(1)の表面の少なくとも一部を被覆材料(5)で被覆する工程と、熱処理を施すことにより、前記炭化珪素単結晶(1)に存在する前記マイクロパイプ欠陥を前記炭化珪素単結晶(1)の内部で閉塞させ、前記マイクロパイプ欠陥の少なくとも一部が塞がれた閉塞孔を形成する工程とを備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/36
, C30B 23/00
, C30B 31/06
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
, C30B 31/06
