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J-GLOBAL ID：200903022621685170

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor：
板 浩嗣

About 板 浩嗣

, 
米元 公彦

About 米元 公彦


Applicant, Patent owner：
芝浦メカトロニクス株式会社

About 芝浦メカトロニクス株式会社


Agent (3)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003290231
Publication number (International publication number)：2005064120
Application date： Aug. 08, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：
【課題】 高密度プラズマや表面波電界等の影響を受けても、被処理物が金属汚染の発生することのないプラズマ装置とその方法を提供すること。【解決手段】 プラズマ処理装置のチャンバ1の側壁に設けるガス供給管5A、5Bを、チャンバ1の内部に誘電体窓9と離間して平行に設けられているガス分離板2を挟んだ位置にそれぞれ配置する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
導波管内を進行したマイクロ波をチャンバ内に導くマイクロ波導入手段と誘電体窓とを具備し、かつ、前記チャンバ内には前記誘電体窓と所定空間を介して対向した位置に被処理物を保持するための静電チャックが配置され、かつ、該チャンバの上部から前記チャンバ内へガスを供給するガス供給管が設けられ、該チャンバ内のガスを前記マイクロ波によりプラズマ化することにより前記被処理物を処理するプラズマ処理装置であって、 前記ガス供給管は、前記チャンバの内部に前記誘電体窓と離間して平行に設けられているガス分離板を挟んだ位置にそれぞれ配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (1)：
H01L21/3065
FI (1)：
H01L21/302 101D
F-Term (10)：
5F004AA16 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • レジスト除去方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-352682   Applicant：芝浦メカトロニクス株式会社
Cited by examiner (2)

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