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J-GLOBAL ID：200903022624077503

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 丸谷 幸利 ,  小林 俊雅 ,  近藤 憲治 ,  根本 和彦 ,  樋口 慶信
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994194951
Publication number (International publication number)：1995297486
Application date： Jul. 27, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高出力低しきい値で信頼性の高いリッジ導波型半導体レーザが、セルファラインで特性が均一に揃ったものが得られるように、制御性の良い製造方法を示す。【構成】n型GaAs基板1上に、n型AlGaAsから成る第1クラッド層2、真性のAlGaAsから成る活性層3、p型AlGaAsから成る第2クラッド層4を順次形成し、さらにこの上に電流阻止層7を両側にリッジ状に形成したp型A1xGa1-xAsから成る光ガイド層5と第3クラッド層6を形成する。リッジ頂部及び電流阻止層7の全面にコンタクト層8を設ける。このようにしてリッジ導波型半導体レーザを製作する。【効果】このように構成したリッジ導波型半導体レーザは光ガイド層5の厚さ、光ガイド層と活性層3との距離、及び電流阻止層7の組成を最適化すれば、レーザ特性はさらに高性能になるだろう。

Claim (excerpt)：

AlGaAs系のリッジ導波型半導体レーザにおいて、基板上に順次積層された、AlGaAs層からなる第1クラッド層、活性層及び第2クラッド層と、第2クラッド層上に順次積層され、かつリッジ状に形成されたAlGaAs層からなる光ガイド層と第3クラッド層とを備え、更に、発振波長よりも大きなバンドギャップを有するAlGaAs層からなる電流阻止層がリッジの両側に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-184973
  
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-035151   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-349679
  
• 半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-176654   Applicant：シャープ株式会社