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J-GLOBAL ID：200903022625060930

光半導体装置

Inventor： 岸田 裕司
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998245796
Publication number (International publication number)：2000077778
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光半導体装置の広帯域化を図ること。【解決手段】 基板1と、基板1上に載置された光導波体3と、基板1上の光導波体3の光入射側に形成された接地電極層42と接地電極層42上に活性層2aを下側にして配設された光半導体素子2と、基板1上に配設され、上面にマイクロ波信号入力用の線状導電層41を形成した誘電体層5とから成り、線状導電層41が活性層2aの背面側電極2bに接続されていることを特徴とする光半導体装置M1とする。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に載置された光導波体と、前記基板上の前記光導波体の光入射側に形成された接地電極層と該接地電極層上に活性層を下側にして配設された光半導体素子と、前記基板上に配設され、上面にマイクロ波信号入力用の線状導電層を形成した誘電体層とから成り、前記線状導電層が前記活性層の背面側電極に接続されていることを特徴とする光半導体装置。

F-Term (7)：

5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073EA14 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16 ,  5F073FA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-298470   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
• 特開平3-011690