半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山田稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992065960
Publication number (International publication number)：1993267580
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】自動的に電流制限動作を行う過電流制限回路を備えたIGBTなどのスイッチング部を有する半導体装置において、電流制限動作時にスイッチング部を駆動するゲート駆動信号自体を制御することにより、電流制限動作の原因となっている過電流状態を解除すると共に、過電流状態であることを知らせるアラーム信号を発信可能とする。【構成】スイッチング部1の入力端子Pgの電圧を、判定回路3のコンパレータ31により判断し、電流制限回路20が稼働したことによるスイッチング部1の入力インピーダンスの変化から過電流が流れる状態にあることを判断する。その結果に基づき、制御部4において入力信号をオンからオフに切り換え、スイッチング部1をオフとすると共に、アラーム信号を発信する。

Claim (excerpt)：

ゲート駆動部から印加されるゲート電圧に基づき制御される絶縁ゲート型スイッチング素子と、この絶縁ゲート型スイッチング素子を流れる電流を制限可能な電流制限回路とを備えたスイッチング部を有する半導体装置において、前記電源制限回路の作動状態を判断する判定部と、この判定部における判断結果に基づき前記ゲート駆動部への入力信号を制御可能な制御部とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H03K 17/08 , H03K 17/56

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平4-224333
特開平4-224333
特開平2-130951

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