量子ドットを備えた素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998371061
Publication number (International publication number)：2000196065
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】量子ドットを備えた素子に関し、量子ドットのエネルギーを温度変化に影響されにくくすること。【解決手段】基板11上に形成された第1の格子定数をもつ半導体よりなる量子ドット12と、第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有し且つ量子ドット12を第1の方向から覆う第1の半導体結晶層13と、第2の格子定数とは異なる第3の格子定数を有し且つ第1の方向に対して垂直な第2の方向から量子ドット12及び第1の半導体結晶層13を覆う第2の半導体結晶層14とを含む。

Claim (excerpt)：

基板の面上に形成された第1の格子定数をもつ半導体よりなる量子ドットと、前記第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有し、且つ前記量子ドットを第1の方向から覆う第1の半導体結晶層と、前記第2の格子定数とは異なる第3の格子定数を有し、且つ前記第1の方向に対して垂直な第2の方向から前記量子ドット及び前記第1の半導体結晶層を覆う第2の半導体結晶層とを有することを特徴とする量子ドットを備えた素子。

IPC (3)：

H01L 29/06 , H01L 29/04 , H01S 5/343

FI (3)：

H01L 29/06 , H01L 29/04 , H01S 3/18 677

F-Term (7)：

5F073AA51 , 5F073AA75 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CA24 , 5F073CB04 , 5F073DA05

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Self organized defect free InAs/GaAs and InAs/InGaAs/GaAs quantum dots with high lateral density gro

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