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J-GLOBAL ID：200903022731648521

電界効果により制御可能の半導体デバイス

Inventor： チハニ、イエネ ,  シュトラック、ヘルムート ,  ガイガー、ハインリッヒ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997528039
Publication number (International publication number)：2000504879
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】本発明は縦型又は横型構造形式の電界効果により制御可能の半導体デバイス、即ちMOSFET及びIGBTに関する。ソース-ドレイン負荷区間の半導体基体内に、即ち縦型デバイスでは内部帯域内に、また横型デバイスではドリフト帯域内に異なる導電形の空乏帯域と相補性空乏帯域を入れ、その際第1の導電形によりドープされた範囲の濃度が第2の導電形によりドープされた範囲の濃度にほぼ相当するようにする。

Claim (excerpt)：

a)半導体基体(1)の表面(3)に接する第1の導電形の内部帯域(2)と、 b)内部帯域(2)に接するドレイン帯域(4)と、 c)上記の半導体基体(1)の表面(3)に埋め込まれている第2の導電形の少なくとも1つのベース帯域(5)と、 d)ベース帯域(5)に埋め込まれている第1の導電形の少なくとも1つのソース帯域(6)と、 e)それぞれベース帯域(5)とそこに埋め込まれているソース帯域(6)を接触化する少なくとも1つのソース電極(7)と、 f)半導体基体(1)全体と絶縁されているゲート電極(8)とを有する半導体基体(1)から成る電界効果により制御可能の半導体デバイスにおいて、 g)内部帯域(2)内に第2の導電形の多数の空乏帯域(10)と第1の導電形の単数又は複数の相補性空乏帯域(11)とが設けられており、 h)その際空乏帯域(10)全体のドーピング量が相補性空乏帯域(11)全体のドーピング量にほぼ相当することを特徴とする電界効果により制御可能の半導体デバイス。

FI (4)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• パワーMOSFET
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-076503   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト