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J-GLOBAL ID：200903022738543750

気相成長結晶薄膜製造装置

Inventor：
佐藤 弘信

About 佐藤 弘信


Applicant, Patent owner：
佐藤制御株式会社

About 佐藤制御株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000188412
Publication number (International publication number)：2001335922
Application date： May. 22, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】結晶薄膜材料を自由な形で、かつ低コストで形成する製造装置を提供する。【解決手段】結晶薄膜の原料となる超微粒子又は化合物を水又は溶液に溶かしてゾル化した液体2を超音波6を用いて超微粒子又は化合物を含有した霧4を作り、搬送ガス10を用いて高温炉の内部に搬入し、その霧を高温の超微粒子と高温の水又は溶液の霧に分解し、水又は溶液の霧10aを排出しながら高温の超微粒子を基板5上に気相成長させて、結晶薄膜を作る気相成長結晶薄膜製造装置。
Claim (excerpt)：
結晶薄膜の原料となる超微粒子又は化合物を水又は溶液に溶かしてゾル化した液体を超音波を用いて超微粒子又は化合物を含有した霧を作り、搬送ガスを用いて高温炉の内部に搬入し、その霧を高温の超微粒子と高温の水又は溶液の霧に分解し、水又は溶液の霧を排出しながら高温の超微粒子を基板上に気相成長させて、結晶薄膜を作る気相成長結晶薄膜製造装置。
IPC (2)：
C23C 14/24 ,  H01L 21/31
FI (2)：
C23C 14/24 T ,  H01L 21/31 B
F-Term (18)：
4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA47 ,  4K029CA00 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045DA62 ,  5F045DA64 ,  5F045DP22 ,  5F045EB02 ,  5F045EE02 ,  5F045EE07 ,  5F045EF01 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK06 ,  5F045EK18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平1-132003
  • 薄膜形成方法および薄膜形成装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-131736   Applicant：三菱電機株式会社
  • 特表平3-503067
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