Pat

J-GLOBAL ID：200903022820991329

絶縁膜形成用SOG、及び絶縁膜及びその形成方法

Inventor： 中嶋 英晴
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994317684
Publication number (International publication number)：1996153792
Application date： Nov. 28, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 特にダミーパターンの形成を要さずに良好な平坦化を達成するために用いることができる絶縁膜形成用SOG、及び絶縁膜及びその形成方法を提供する。【構成】 ?@塗布して処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成用SOG4であって、該SOG中には、SOGよりもエッチング速度が高い固形物質31を混入させる。?A上記?@を用いた絶縁膜及びその形成方法。

Claim (excerpt)：

塗布して処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成用SOGであって、該SOG中には、SOGよりもエッチング速度が高い固形物質を混入させたことを特徴とする絶縁膜形成用SOG。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-245014   Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-063625   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-046222   Applicant：富士通株式会社