半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995013143
Publication number (International publication number)：1996204150
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】DRAMにおいて、小さな占有面積で大きなキャパシタ面積を得るため、サイドウォール付きでかつ円筒型のスタック型キャパシタを実現する。また、コンタクトホール露光時のフォーカスマージンを拡大する。【構成】露光量を調整した全面露光を行うことにより、コンタクトホール底部にのみフォトレジスト膜(12)を残存せしめた後、第2の多結晶シリコン膜11Bをエッチバックして第1の側壁11Ba,第2の側壁11Bbを形成する。これによりサイドウォール付きかつ円筒型のスタック型キャパシタが実現できる。また、コンタクトホールの露光時に2酸化シリコン膜8でなる防眩膜が表面にあるため、多結晶シリコン膜が表面にある場合に比べてフォーカスマージンを拡大できる。

Claim (excerpt)：

その表面部に選択的に形成された第1導電型不純物拡散層を有する第2導電型半導体基板上の絶縁膜の表面から前記第1導電型不純物拡散層に達して設けられたコンタクトホール上にこれと連結する開口を有して前記コンタクトホール周辺の前記絶縁膜の表面を被覆する第1の導電膜でなる環状導電体と、前記環状導電体の外周側面を被覆する第2の導電膜でなる第1の側壁と、前記コンタクトホールの底面を被覆する第1の部分ならびに前記コンタクトホールの側面および前記環状導電体の開口の側面を被覆するパイプ状の第2の部分を有する第3の導電膜でなる第2の側壁とからなる下部電極を有するスタック型キャパシタを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-062965
特開平3-046363
層間絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-134399 Applicant：三洋電機株式会社

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