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J-GLOBAL ID：200903022872298117
薄膜キャパシタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997340163
Publication number (International publication number)：1999177051
Application date： Dec. 10, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高い比誘電率を有しかつ絶縁性に優れた特性を有するペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜からなる薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】 ペロブスカイト型酸化物薄膜がカラムナー構造とグラニュラー構造が積層された2層以上の積層構造であって、かつ前記2層以上積層されたペロブスカイト型酸化物の少なくとも1層のグラニュラー構造が、酸化物を一般式AB03(但し、Aは2価金属元素、Bは6価金属元素である。A, Bともに金属元素が2種類以上であること含む。)で表記したときのA元素/B元素比が1.1〜1.5であることを特徴とするペロブスカイト型酸化薄膜を一対の電極で狹持してなる薄膜キャパシタ。
Claim (excerpt)：
ペロブスカイト型酸化物薄膜と該ペロブスカイト型酸化物薄膜を狭持する一対の電極膜とを有する薄膜キャパシタにおいて、該ペロブスカイト型酸化物薄膜がカラムナー構造とグラニュラー構造が積層された2層以上の積層構造であって、かつ前記2層以上積層されたペロブスカイト型酸化物の少なくとも1層のグラニュラー構造が、酸化物を一般式AB03(但し、Aは2価金属元素、Bは4価金属元素である。A,Bともに金属元素が2種類以上であることを含む。)で表記したときのA元素/B元素比が1.1〜1.5であることを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (4)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 B
